Набиране на средства 15 септември 2024 – 1 октомври 2024 Относно набирането на средства

Търсене на термини

  • Main
  • Търсене на термини
1
Кинетические эффекты взаимодействия электронов с колебаниями в квантовых гетероструктурах

Кинетические эффекты взаимодействия электронов с колебаниями в квантовых гетероструктурах

Ника Д.Л.
aln
рис
фононов
ника
д.л
акустических
гетероструктурах
фононных
электронов
нити
фононного
акустически
скорости
рассеяния
электрона
моды
типа
гетероструктуре
гетероструктуры
скорость
фононами
смещения
зависимости
фононной
квантовых
quantum
physics
нитях
поляризации
фононные
вектора
гетероструктур
энергии
обеднения
phonon
акустическими
колебаний
свойства
скоростью
групповые
звука
цилиндрических
heterostructures
ветвей
линии
обкладок
electron
dx3
конфайнмент
материала
Година:
2006
Език:
russian
Файл:
PDF, 7.88 MB
0 / 0
russian, 2006
2
Наноэлектроника. Элементы. Приборы. Устройства: учебное пособие

Наноэлектроника. Элементы. Приборы. Устройства: учебное пособие

Г. Г. Шишкин, И. М. Агеев
рис
электронов
тока
ток
приборы
перехода
области
раздел
носителей
наноэлектронные
энергии
электрона
напряжения
основе
рисунке
gaas
поля
свойства
происходит
типа
вах
определяется
физические
структуры
транзистора
магнитного
электроны
квантовых
переход
поверхности
проводимости
состояния
энергия
наноэлектроники
ния
счет
напряжение
основы
значения
транзисторов
базы
квантовой
поле
состояний
область
переходов
заряда
результате
слоя
канала
Година:
2020
Език:
russian
Файл:
PDF, 5.99 MB
0 / 0
russian, 2020
3
Наноэлектроника. Элементы, приборы, устройства: учебное пособие

Наноэлектроника. Элементы, приборы, устройства: учебное пособие

Шишкин Г.Г., Агеев И.М.
рис
электронов
тока
ток
приборы
перехода
области
раздел
носителей
наноэлектронные
энергии
электрона
напряжения
основе
рисунке
gaas
поля
свойства
происходит
типа
вах
определяется
физические
структуры
транзистора
магнитного
электроны
квантовых
переход
поверхности
проводимости
состояния
энергия
наноэлектроники
ния
счет
напряжение
основы
значения
транзисторов
базы
квантовой
поле
состояний
область
переходов
заряда
результате
слоя
канала
Година:
2020
Език:
russian
Файл:
PDF, 4.98 MB
0 / 5.0
russian, 2020
4
Наноэлектроника. Элементы, приборы, устройства : учебное пособие

Наноэлектроника. Элементы, приборы, устройства : учебное пособие

Шишкин Г.Г.
рис
электронов
тока
ток
приборы
перехода
области
раздел
носителей
наноэлектронные
энергии
электрона
напряжения
основе
рисунке
gaas
поля
свойства
происходит
типа
вах
определяется
физические
структуры
транзистора
магнитного
электроны
квантовых
переход
поверхности
проводимости
состояния
энергия
наноэлектроники
ния
счет
напряжение
основы
значения
транзисторов
базы
квантовой
поле
состояний
область
переходов
заряда
результате
слоя
канала
Година:
2020
Език:
russian
Файл:
PDF, 5.70 MB
0 / 0
russian, 2020
5
Оптические свойства полупроводниковых квантовых точек

Оптические свойства полупроводниковых квантовых точек

Федоров А.В., Рухленко И.Д., Баранов А.В., Кручинин С.Ю.
точек
квантовых
точки
квантовой
рис
релаксации
фононов
phys
quantum
рассеяния
точках
exp
комбинационного
электрон
состояний
оптических
оптические
энергии
электронной
возбуждений
перехода
скорость
состояния
электронных
gaas
зависимость
квантовые
скорости
функции
переходов
исследования
одиночной
спектр
взаимодействия
электрона
заряда
reprinted
ξnl
дефазировки
люминесценции
спектры
figure
взаимодействие
методы
носителей
поглощения
спектров
спектра
фонона
точке
Език:
russian
Файл:
PDF, 4.19 MB
0 / 0
russian
6
Диоды, транзисторы и тиристоры на основе гетероструктур

Диоды, транзисторы и тиристоры на основе гетероструктур

Корольков В.И., Рахимов Н.
gaas
рис
области
тока
основе
носителей
структуры
излучения
запрещенной
мкм
напряжения
базы
гетеропереходов
гетероструктур
управления
электронов
базовой
слоев
транзисторов
ннз
типа
транзистора
xas
полупроводниковых
перехода
толщины
зависимость
приборов
ширины
заряда
фтп
легирования
корольков
проводимости
см2
тиристоров
транзисторы
algaas
инжекции
базе
коллектора
концентрации
усиления
рекомбинации
ток
коэффициент
коэффициента
материалов
определяется
эмиттера
Година:
1986
Език:
russian
Файл:
DJVU, 1.62 MB
0 / 0
russian, 1986
7
Материалы, структуры и приборы полупроводниковой оптоэлектроники : учебное пособие.

Материалы, структуры и приборы полупроводниковой оптоэлектроники : учебное пособие.

Гермогенов В.П.
рис
области
электронов
излучения
тока
заряда
exp
дырок
носителей
полупроводника
проводимости
рекомбинации
фотодиода
запрещенной
плотности
раствора
фотонов
gaas
твердого
энергии
концентрация
концентрации
типа
alxga1
электрона
область
состояний
основе
полупроводнике
т.е
плотность
выражение
зоне
активной
светодиодов
полупроводников
зависимости
светодиода
гетероперехода
xas
опз
структуры
состава
поглощения
валентной
коэффициент
спектра
диода
оптического
поля
Година:
2015
Език:
russian
Файл:
PDF, 8.32 MB
0 / 0
russian, 2015
8
Материалы, структуры и приборы полупроводниковой оптоэлектроники

Материалы, структуры и приборы полупроводниковой оптоэлектроники

Гермогенов В.П.
рис
области
электронов
излучения
тока
заряда
exp
дырок
носителей
полупроводника
проводимости
рекомбинации
фотодиода
запрещенной
плотности
раствора
фотонов
gaas
твердого
энергии
концентрация
концентрации
типа
alxga1
электрона
область
состояний
основе
полупроводнике
т.е
плотность
выражение
зоне
активной
светодиодов
полупроводников
зависимости
светодиода
гетероперехода
xas
опз
структуры
состава
поглощения
валентной
коэффициент
спектра
диода
оптического
поля
Година:
2015
Език:
russian
Файл:
PDF, 10.72 MB
0 / 0
russian, 2015
9
Градиентная эпитаксия для получения микро и наноструктур твердых растворов АIIIВV через тонкую газовую зону: монография

Градиентная эпитаксия для получения микро и наноструктур твердых растворов АIIIВV через тонкую газовую зону: монография

Сысоев И. А., Лунин Л. С.
рис
gaas
мкм
температуры
соединений
аiiiвv
состава
источника
управления
зависимость
твердого
раствора
слое
inas
газовой
компонентов
слоя
зависимости
запрещенной
эпитаксиальном
использовании
реакции
гетероструктуры
градиентной
градиента
изменения
получения
gainpas
град
значения
твердых
процесса
квантовых
растворов
источником
решетки
точек
ширины
галлия
расчета
реакций
эпитаксиального
подложкой
расчетные
результаты
системы
соединения
ºс
данных
температурного
Година:
2015
Език:
russian
Файл:
PDF, 2.39 MB
0 / 5.0
russian, 2015
10
Градиентная эпитаксия для получения микро и наноструктур твердых растворов АIIIВV через тонкую газовую зону: монография

Градиентная эпитаксия для получения микро и наноструктур твердых растворов АIIIВV через тонкую газовую зону: монография

Сысоев И. А., Лунин Л. С.
рис
gaas
мкм
температуры
соединений
аiiiвv
состава
источника
управления
зависимость
твердого
раствора
слое
inas
газовой
компонентов
слоя
зависимости
запрещенной
эпитаксиальном
использовании
реакции
гетероструктуры
градиентной
градиента
изменения
получения
gainpas
град
значения
твердых
процесса
квантовых
растворов
источником
решетки
точек
ширины
галлия
расчета
реакций
эпитаксиального
подложкой
расчетные
результаты
системы
соединения
ºс
данных
температурного
Година:
2015
Език:
russian
Файл:
PDF, 2.39 MB
0 / 0
russian, 2015
11
Градиентная эпитаксия для получения микро- и наноструктур твердых растворов АIIIВV через тонкую газовую зону : монография

Градиентная эпитаксия для получения микро- и наноструктур твердых растворов АIIIВV через тонкую газовую зону : монография

Сысоев И. А.
рис
gaas
мкм
aгентство
cервис
kнига
бибком
оао
ооо
цкб
температуры
соединений
аiiiвv
состава
источника
управления
зависимость
твердого
раствора
слое
inas
газовой
компонентов
слоя
зависимости
запрещенной
эпитаксиальном
использовании
реакции
гетероструктуры
градиентной
градиента
изменения
получения
gainpas
град
значения
твердых
процесса
квантовых
растворов
источником
решетки
точек
ширины
галлия
расчета
реакций
эпитаксиального
подложкой
Език:
russian
Файл:
PDF, 2.40 MB
0 / 0
russian
12
Радиофизические свойства твердотельных слоистых структур с зарядовой связью: методы и информационные возможности для их определения

Радиофизические свойства твердотельных слоистых структур с зарядовой связью: методы и информационные возможности для их определения

Заярный В.П.
ацп
рис
гетероструктур
abs
измерительных
эвм
информации
модель
асрфи
заряда
структур
систем
системы
характеристик
пзс
сигналов
производится
исследований
зарядовых
составе
радиофизических
сигнала
иметь
эксперимента
данном
основе
характеристики
нашем
измерений
определяется
согласно
вфх
рфэ
синтеза
цап
в.п
заярный
наличие
напряжения
исследования
разрядов
измерения
свойства
возможности
измерительной
определения
помощью
свойств
сопряжения
пип
Година:
2001
Език:
russian
Файл:
PDF, 1.51 MB
0 / 0
russian, 2001
13
Нанотехнология и микромеханика. Ч. 5. Надежность наноприборов и радиоэлектронных устройств на их основе : учеб. пособие

Нанотехнология и микромеханика. Ч. 5. Надежность наноприборов и радиоэлектронных устройств на их основе : учеб. пособие

В.Д. Шашурин, Н.А. Ветрова, Ю.А. Иванов
ртд
свч
параметров
рис
ртс
aгентство
cервис
kнига
бибком
оао
ооо
цкб
вах
основе
надежности
устройств
наноприборов
преобразования
радиоэлектронных
gaas
функций
выполнения
kmua
барьеров
tγ
изменения
оптимизации
связи
гетероструктуры
погрешностей
выходных
значения
технологических
k1дб
вероятность
параметры
электрических
технологической
ширины
потерь
устройства
вероятности
влияние
базе
значений
наноприбора
слоев
деградации
конструкторско
коэффициента
Език:
russian
Файл:
PDF, 3.28 MB
0 / 0
russian
14
Микроэлектроника и наноэлектроника: актуальные проблемы: межвузовский сборник научных трудов

Микроэлектроника и наноэлектроника: актуальные проблемы: межвузовский сборник научных трудов

А. В. Строгонов,
рис
основе
питания
сопротивления
пленок
zno
cuo
поверхности
слоя
неисправностей
методом
устройства
транзисторов
пленки
sno2
качестве
характеристики
воронежский
мкм
университет
государственный
hemt
датчиков
напряжения
технологии
кремния
напряжение
приборов
сопротивление
тока
структуры
технический
системы
схемы
элементов
высокой
гетероструктуры
покрытия
транзистора
фапч
освещенности
заряда
значения
корпуса
удк
исследования
металлооксидных
образцов
блок
блока
Година:
2021
Език:
russian
Файл:
PDF, 7.19 MB
0 / 3.0
russian, 2021
15
Гетероструктурная наноэлектроника

Гетероструктурная наноэлектроника

Ковалев А.Н.
gaas
рис
бгт
электронов
базы
слоя
ггц
слой
островков
основе
мкм
структуры
углерода
тока
носителей
ingaas
базе
бора
algaas
квантовых
поверхности
приборов
плотность
решетки
канале
эмиттера
энергии
области
кремния
немт
затвора
напряжения
hemt
запрещенной
проводимости
заряда
мощности
усиления
inas
коллектора
материала
перехода
слоев
ток
структур
напряжение
см2
т.е
канала
плотности
Език:
russian
Файл:
PDF, 5.27 MB
0 / 0
russian
16
Монооксид европия для спинтроники: Монография

Монооксид европия для спинтроники: Монография

Бамбуров В. Г., Борухович А. С., Каргин Н. И., Трошин А. В.
insb
излучения
структуры
европия
спинового
тока
рис
носителей
спинтроники
спиновой
спин
монооксид
поля
сигнала
структур
euo
области
композита
гетероструктур
магнитного
полупроводник
hgcr2se4
инжектора
возможности
заряда
гетероструктуры
спинтронных
электронных
зависимость
контакта
уровней
величина
магнитных
проводимости
транзистора
ных
полупроводников
устройств
борухович
спиновых
эпр
кюри
поглощения
поле
полупроводника
свойства
спинтронные
температурах
physics
линии
Година:
2022
Език:
russian
Файл:
PDF, 647 KB
0 / 4.0
russian, 2022
17
Материаловедение наноструктурированных материалов

Материаловедение наноструктурированных материалов

Свинцов Д.А., Захарченко С.В, Зайцев С.А., Озерин А.Ю.
рис
кремния
электронов
поверхности
частиц
энергии
ямы
проводимости
структуры
электрона
зависимость
материалов
реакции
кремний
свойств
основе
точки
транзистора
скорость
запрещенной
носителей
области
приводит
волны
графен
квантовые
графена
кремнии
наночастиц
частицы
материал
заряда
концентрации
пористого
атомов
графене
решетки
спектр
физические
кристалла
кристаллы
вещества
кристаллов
нити
эффекты
материала
свойства
структур
фотонных
молекул
Език:
russian
Файл:
PDF, 8.22 MB
0 / 0
russian
18
Монооксид европия для спинтроники

Монооксид европия для спинтроники

Бамбуров В.Г., Борухович А.С., Каргин Н.И., Трошин А.В.
insb
излучения
структуры
европия
спинового
тока
рис
носителей
спинтроники
спиновой
спин
монооксид
поля
сигнала
структур
euo
области
композита
гетероструктур
магнитного
полупроводник
hgcr2se4
инжектора
возможности
заряда
гетероструктуры
спинтронных
электронных
зависимость
контакта
уровней
величина
магнитных
проводимости
транзистора
ных
полупроводников
устройств
борухович
спиновых
эпр
кюри
поглощения
поле
полупроводника
свойства
спинтронные
температурах
physics
линии
Година:
2015
Език:
russian
Файл:
PDF, 577 KB
0 / 0
russian, 2015
19
Физика полупроводниковых наноструктур

Физика полупроводниковых наноструктур

Борисенко С.И.
энергии
заряда
рис
носителей
электронов
учетом
электрона
поля
поглощения
согласно
состояний
проводимости
тока
уравнения
функции
exp
области
счет
плотности
спектр
дбкс
коэффициента
квантовых
энергия
оси
квантовой
зависимость
рассеяния
приближении
структуры
уровней
формуле
типа
поле
газа
получаем
т.е
формулы
функция
значения
принимает
k0t
квантования
пропускания
ямы
прохождения
gaas
движения
квантовые
размерного
Език:
russian
Файл:
PDF, 1.53 MB
0 / 0
russian
20
Элементы и устройства наноэлектроники: Учебное пособие

Элементы и устройства наноэлектроники: Учебное пособие

Сергеев В. А.
рис
электронов
основе
кремния
структуры
энергии
gaas
транзистора
наноэлектроники
поверхности
области
слой
пленки
нанотрубки
системы
слоя
транзисторов
позволяет
структура
элементов
квантовых
тока
поясните
свойства
гетероструктур
носителей
полупроводниковых
слоев
типа
квантовой
памяти
развития
молекулы
напряжения
технологии
точки
транзисторы
подложки
создания
температуре
ток
транзистор
устройства
электрона
атомов
заряда
качестве
квантовые
материалов
млэ
Година:
2016
Език:
russian
Файл:
PDF, 2.88 MB
0 / 4.0
russian, 2016
21
Элементы и устройства наноэлектроники: учебное пособие

Элементы и устройства наноэлектроники: учебное пособие

В. А. Сергеев, Министерство образования и науки Российской Федерации, Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ульяновский государственный технический университет"
рис
электронов
основе
кремния
структуры
энергии
gaas
транзистора
наноэлектроники
поверхности
области
слой
пленки
нанотрубки
системы
слоя
транзисторов
позволяет
структура
элементов
квантовых
тока
поясните
свойства
гетероструктур
носителей
полупроводниковых
слоев
типа
квантовой
памяти
развития
молекулы
напряжения
технологии
точки
транзисторы
подложки
создания
температуре
ток
транзистор
устройства
электрона
атомов
заряда
качестве
квантовые
материалов
млэ
Година:
2016
Език:
russian
Файл:
PDF, 2.87 MB
0 / 3.0
russian, 2016
22
Методы исследования полупроводниковых гетероструктур: учебное пособие

Методы исследования полупроводниковых гетероструктур: учебное пособие

Номан М. А. А. Хорьков К. С. Шамин П. Ю.
изображения
рис
полосы
изображений
гетероструктур
изображение
рэм
полупроводниковых
поверхности
области
электронов
позволяет
методы
gaas
исследования
типа
задачи
методов
микроскопа
яркости
электронного
гетероструктуры
помощью
образца
получения
анализа
изображении
лазерного
областей
основе
полос
структур
электронной
элементов
наноструктур
область
обработки
различных
результате
энергии
микроскопии
полоса
структуры
диода
определения
параметров
пикселов
цифровой
гистограммы
слоя
Език:
russian
Файл:
PDF, 9.64 MB
0 / 0
russian
23
Современные проблемы микро- и наноэлектроники.

Современные проблемы микро- и наноэлектроники.

Шелованова Г.Н.
кремния
рис
основе
микро
соединений
технологии
полупроводников
материалов
органических
проблемы
кремний
получения
современные
наноэлектроники
создания
структуры
свойства
качестве
элементов
пленок
слоя
материала
алмаза
материалы
приборов
подложки
метод
изготовления
слоев
являются
структур
кни
мкм
пленки
cdte
поверхности
полупроводниковых
температуры
технология
гетероструктур
мэмс
слой
компонентов
кристаллов
области
слои
высокой
методом
различных
типа
Година:
2017
Език:
russian
Файл:
PDF, 6.34 MB
0 / 0
russian, 2017
24
Современные проблемы микро- и наноэлектроники

Современные проблемы микро- и наноэлектроники

сост. Шелованова Г. Н.
кремния
рис
основе
микро
соединений
технологии
полупроводников
материалов
органических
проблемы
кремний
получения
современные
наноэлектроники
создания
структуры
качестве
свойства
элементов
пленок
слоя
материала
алмаза
материалы
приборов
подложки
метод
изготовления
слоев
являются
структур
кни
мкм
пленки
cdte
поверхности
полупроводниковых
температуры
технология
гетероструктур
мэмс
слой
компонентов
кристаллов
области
слои
высокой
методом
различных
типа
Език:
russian
Файл:
PDF, 6.79 MB
0 / 0
russian
25
Диагностика полупроводниковых источников излучения: Учебное пособие

Диагностика полупроводниковых источников излучения: Учебное пособие

Сергеев В. А., Фролов И. В., Радаев О. А.
тока
светодиодов
рис
сид
измерения
излучения
шума
области
полупроводниковых
зависимости
напряжения
светодиода
теплового
значения
емкости
температуры
носителей
характеристики
заряда
частоты
порогового
распределения
сергеев
сопротивления
типа
диапазоне
диодов
мощности
плотности
перехода
активной
диода
ппии
спектра
токов
лазерных
сопротивление
ток
см2
структуры
ingan
кгц
характеристик
зависимость
лазерного
изменения
испытаний
источников
определяется
схема
Година:
2022
Език:
russian
Файл:
PDF, 2.95 MB
0 / 0
russian, 2022
26
Наноэлектроника

Наноэлектроника

Троян П.Е.
рис
электронов
квантовых
структуры
эффект
gaas
области
тока
ток
основе
поля
электрона
энергии
квантовой
напряжения
квантовые
сверхрешетки
электроны
проводимости
поле
резонансно
энергия
заряда
носителей
ямы
помощью
слоя
туннельных
сопротивления
схема
решетки
состояний
транзистор
электрического
электрон
кулоновской
плотность
эффекта
магнитного
мкм
напряжение
барьера
островков
структур
туннельный
барьеров
величина
наиболее
перехода
слоев
Език:
russian
Файл:
PDF, 1.44 MB
0 / 0
russian
27
Наноэлектроника

Наноэлектроника

Троян П.Е., Сахаров Ю.В.
рис
электронов
квантовых
структуры
эффект
gaas
области
тока
ток
основе
поля
электрона
энергии
квантовой
напряжения
квантовые
сверхрешетки
электроны
проводимости
поле
резонансно
энергия
заряда
носителей
ямы
помощью
слоя
туннельных
сопротивления
схема
решетки
состояний
транзистор
электрического
электрон
кулоновской
плотность
эффекта
магнитного
мкм
напряжение
барьера
островков
структур
туннельный
барьеров
величина
наиболее
перехода
слоев
Език:
russian
Файл:
PDF, 1.40 MB
0 / 0
russian
28
Наноэлектроника

Наноэлектроника

Троян П.Е., Сахаров Ю.В.
рис
электронов
квантовых
структуры
эффект
gaas
области
тока
ток
основе
поля
электрона
энергии
квантовой
напряжения
квантовые
сверхрешетки
электроны
проводимости
поле
резонансно
энергия
заряда
носителей
ямы
помощью
слоя
туннельных
сопротивления
схема
решетки
состояний
транзистор
электрического
электрон
кулоновской
плотность
эффекта
магнитного
мкм
напряжение
барьера
островков
структур
туннельный
барьеров
величина
наиболее
перехода
слоев
Година:
2010
Език:
russian
Файл:
PDF, 2.40 MB
0 / 0
russian, 2010
29
Исследование электронных состояний в низкоразмерных структурах методами сканирующей зондовой микроскопии

Исследование электронных состояний в низкоразмерных структурах методами сканирующей зондовой микроскопии

Демиховский В.Я., Филатов Д.О.
рис
поверхности
стм
состояний
зонда
inas
плотности
электронов
проводимости
образца
изображения
асм
gaas
квантовых
туннельного
ферми
электронных
ктк
состояния
атомов
зондом
лпс
структуры
изображение
тока
phys
канала
методом
функции
зонд
приведены
gasb
энергии
распределения
вах
дифференциальной
образцом
плоскости
плотность
стр
области
квантования
метод
поперечных
профили
размерно
размерного
взаимодействие
взаимодействия
исследования
Език:
russian
Файл:
PDF, 2.17 MB
0 / 0
russian
30
Фундаментальные исследования в области информационных и коммуникационных технологий

Фундаментальные исследования в области информационных и коммуникационных технологий

Либенсон М.Н.
мкм
гетероструктуры
лазеров
области
рис
технологий
году
физика
информации
носителей
полупроводниковых
развитие
физике
количество
технологии
транзисторов
чипе
элементов
излучения
изобретения
информационных
исследования
килби
коммуникационных
лазеры
поля
структуры
физики
gaas
годов
дгс
ж.и
закон
заряда
идеи
интегральной
используются
комнатной
компонентов
нобелевской
носители
полупроводниковой
премии
приводит
слоев
слоя
схемы
температуре
электронов
pentium
Година:
2001
Език:
russian
Файл:
PDF, 142 KB
0 / 0
russian, 2001
31
Комплекс лабораторных работ «Физика твердотельных наноструктур»

Комплекс лабораторных работ «Физика твердотельных наноструктур»

Филатов Д. О.
рис
gaas
дырок
шоттки
электронов
излучения
энергии
барьера
зависимость
основе
дгс
гетероструктур
лазеров
области
состояний
лазера
exp
поля
зависимости
inxga1
xas
измерения
переходов
проводимости
тока
уравнение
легких
полупроводниковых
соответственно
ingaas
схема
ёмкости
валентной
волны
опз
оптических
структуры
электроны
поглощения
распределения
слоя
состояния
тяжелых
фотонов
характеристик
зоне
методом
носителей
дырки
межзонных
Година:
2010
Език:
russian
Файл:
PDF, 924 KB
0 / 4.0
russian, 2010
32
Комплекс лабораторных работ «Физика твердотельных наноструктур»

Комплекс лабораторных работ «Физика твердотельных наноструктур»

Филато Д. О.
рис
gaas
дырок
шоттки
электронов
излучения
энергии
барьера
зависимость
основе
дгс
гетероструктур
лазеров
области
состояний
лазера
exp
поля
зависимости
inxga1
xas
измерения
переходов
проводимости
тока
уравнение
легких
полупроводниковых
соответственно
ingaas
схема
ёмкости
валентной
волны
опз
оптических
структуры
электроны
поглощения
распределения
слоя
состояния
тяжелых
фотонов
характеристик
зоне
методом
носителей
дырки
межзонных
Година:
2010
Език:
russian
Файл:
PDF, 924 KB
0 / 4.0
russian, 2010
33
Твердотельная электроника. Расчеты полупроводниковых гетеропереходов

Твердотельная электроника. Расчеты полупроводниковых гетеропереходов

Гаврикова Т.А., Ильин В.И., Полухин И.С.
рис
раздела
заряда
материалов
перехода
ехр
границы
типа
гетероперехода
гетеропереход
шотки
границе
вах
поля
φ2
электронов
слоев
зон
учетом
кремний
полупроводника
носителей
переход
поле
ветвь
дырок
exp
области
тока
диполя
зарядов
полупроводнике
состава
заряд
идеальный
полупроводник
диаграмма
потенциалов
прямая
энергетическая
барьер
барьера
гетеропереходе
напряжение
φ0
гетеропереходов
идеального
полупроводников
потенциала
cdte
Език:
russian
Файл:
DJVU, 1.43 MB
0 / 0
russian
34
Полупроводниковые источники излучения

Полупроводниковые источники излучения

Григорьев Ф.И.
излучения
рис
рекомбинации
тока
электронов
носителей
лазерного
заряда
области
перехода
полупроводнике
генерации
полупроводника
энергии
излучение
энергия
резонатора
т.е
hν
активной
излучательной
полупроводниках
лазера
лазеры
область
показатель
волны
поглощения
рекомбинация
состояний
усиления
лазеров
мкм
накачки
накачкой
полупроводниковые
спектр
энергию
запрещенной
полупроводниковых
проводимости
слоя
спектра
диода
зависит
потери
пучка
следовательно
гетероструктуры
зоне
Език:
russian
Файл:
PDF, 1.20 MB
0 / 0
russian
35
Комплекс лабораторных работ. Физика твердотельных наноструктур

Комплекс лабораторных работ. Физика твердотельных наноструктур

Филатов Д.О. (сост.)
рис
gaas
дырок
шоттки
электронов
излучения
энергии
барьера
зависимость
основе
дгс
гетероструктур
лазеров
области
состояний
лазера
exp
поля
зависимости
inxga1
xas
измерения
переходов
проводимости
тока
уравнение
легких
полупроводниковых
соответственно
ingaas
схема
ёмкости
валентной
волны
опз
оптических
структуры
электроны
поглощения
распределения
слоя
состояния
тяжелых
фотонов
характеристик
зоне
методом
носителей
дырки
межзонных
Език:
russian
Файл:
PDF, 937 KB
0 / 0
russian
36
Исследование эффективности InGaN/GaN светодиодов

Исследование эффективности InGaN/GaN светодиодов

А.А. Евремов, Ю.Т. Ребане, Ю.Г. Шретер
рис
структуры
тока
электролюминесценции
светодиодной
светодиода
эффективности
phys
светодиодов
appl
области
вольт
зависимости
работе
эффективность
светодиодных
слоя
напряжения
состояний
характеристики
деградации
emitting
поглощения
diodes
интенсивности
ingan
коэффициент
заряда
коэффициента
площади
структур
выхода
диапазоне
ослабления
малых
напряжениях
поверхности
ток
токов
гетерогранице
структуре
температуры
квантовой
сапфир
туннельно
зависимость
ростом
влияние
основе
соответственно
Година:
2008
Език:
russian
Файл:
PDF, 24.49 MB
0 / 0
russian, 2008
37
Современные проблемы светодиодных технологий и светотехнических устройств

Современные проблемы светодиодных технологий и светотехнических устройств

Туев В. И.
рисунок
мкм
печати
напряжения
sio2
пленки
подложки
тока
рис
питания
phys
поверхности
ток
appl
осид
пленок
основе
технологии
излучения
слоев
слоя
транзистора
сапфировой
напряжение
коэффициент
кристалла
создания
характеристики
эффективности
laser
светодиодов
ingan
рисунке
источника
светодиодного
томск
lift
качестве
методом
пропускания
характеристик
чернил
c8h17
спектр
управления
схема
толщина
процесс
работе
режим
Език:
russian
Файл:
PDF, 2.14 MB
0 / 0
russian
38
Компьютерное моделирование наноструктур

Компьютерное моделирование наноструктур

Усанов Д.А., Скрипаль Ал.В., Скрипаль Ан.В., Абрамов А.В.
электрона
моделирование
рис
электронов
энергии
наноструктур
компьютерное
микро
прохождения
gaas
моделирования
функций
движения
потенциальный
приложении
волновых
структуры
области
структуру
барьера
ямы
слоёв
приложение
значений
квантовой
огибающих
потенциальной
спектра
уравнения
энергетического
графики
приложения
программа
mathcad
барьер
яме
направлении
поля
различных
коэффициента
программы
структур
электрического
атомных
волн
оси
построить
приведен
функции
данном
Език:
russian
Файл:
PDF, 2.37 MB
0 / 0
russian
39
Нанотехнологии: Учебное пособие для студентов очной формы обучения по направлениям подготовки бакалавров: 35.03.06 Агроинженерия

Нанотехнологии: Учебное пособие для студентов очной формы обучения по направлениям подготовки бакалавров: 35.03.06 Агроинженерия

Коллектив авторов
рис
наноматериалов
размера
материалов
поверхности
свойств
свойства
получения
структуры
атомов
частиц
наночастиц
зерна
металлов
нанотрубки
основе
унт
температуры
являются
материала
методы
нанотрубок
энергии
материалы
размер
сталей
исследования
молекул
нанотехнологии
области
размером
с60
наиболее
вещества
значения
наноструктур
позволяет
приводит
электронов
квантовых
различных
результате
высокой
стм
структурой
границ
зависимость
зерен
нанотехнологий
новых
Година:
2015
Език:
russian
Файл:
PDF, 7.23 MB
0 / 5.0
russian, 2015
40
Основы нанотехнологий и наноматериалов

Основы нанотехнологий и наноматериалов

Азаренков Н.А., Веревкин А.А., Ковтун Г.П.
рис
наноматериалов
размера
материалов
поверхности
свойств
свойства
получения
структуры
атомов
частиц
наночастиц
зерна
металлов
нанотрубки
основе
унт
температуры
являются
материала
методы
нанотрубок
энергии
исследования
материалы
размер
сталей
молекул
области
размером
с60
наиболее
нанотехнологии
вещества
значения
наноструктур
позволяет
приводит
электронов
квантовых
нанотехнологий
различных
результате
высокой
стм
структурой
физико
границ
зависимость
зерен
Година:
2009
Език:
russian
Файл:
PDF, 2.89 MB
0 / 0
russian, 2009
41
Фундаментальные основы физики наносистем: Учебное пособие

Фундаментальные основы физики наносистем: Учебное пособие

Литвинов В. Г.
состояний
рис
lqw
ямы
функции
энергии
exp
плотность
плотности
яме
электронов
квантовых
квантовой
потенциальной
волновой
носителей
квантовая
структуры
микрочастицы
рассмотрим
спектр
условие
функция
частицы
энергия
коэффициент
минизоны
сверхрешетки
спектра
шредингера
квантования
квантовыми
состояния
типа
уравнения
уровней
уровни
яма
gaas
vsl
барьер
барьером
поле
условия
ямами
конечной
меньше
определяется
основные
размерного
Година:
2017
Език:
russian
Файл:
PDF, 1.04 MB
0 / 4.5
russian, 2017
42
Фундаментальные основы физики наносистем: Учебное пособие

Фундаментальные основы физики наносистем: Учебное пособие

Литвинов В. Г.
состояний
рис
lqw
ямы
функции
энергии
exp
плотность
плотности
яме
электронов
квантовых
квантовой
потенциальной
волновой
носителей
квантовая
структуры
микрочастицы
рассмотрим
спектр
условие
функция
частицы
энергия
коэффициент
минизоны
сверхрешетки
спектра
шредингера
квантования
квантовыми
состояния
типа
уравнения
уровней
уровни
яма
gaas
vsl
барьер
барьером
поле
условия
ямами
конечной
меньше
определяется
основные
размерного
Година:
2017
Език:
russian
Файл:
PDF, 1.04 MB
0 / 4.5
russian, 2017
43
Электронные и фотонные устройства: принцип работы, технологии изготовления

Электронные и фотонные устройства: принцип работы, технологии изготовления

Левичев В.В.
днк
рис
рисунок
электронов
слоя
области
подложки
излучения
поверхности
роста
структуры
происходит
область
полупроводниковых
структур
gaas
волны
метод
электроны
энергия
эпитаксии
фотонные
подложке
процесс
слой
длиной
технологии
типа
толщины
энергии
algaas
exp
данный
лазера
слоев
структуру
схема
кристалла
кристаллизации
молекул
ток
тока
электрон
ионов
квантовой
квантовых
материалов
называется
поле
скорость
Език:
russian
Файл:
PDF, 1.06 MB
0 / 0
russian
44
Полупроводниковые наногетероструктуры

Полупроводниковые наногетероструктуры

Солдаткин В. С.
полупроводниковых
полупроводниковые
материалы
эпитаксия
изготовления
gaas
гетероструктуры
материалов
роста
слоев
xas
литературы
наногетероструктур
параметров
работе
типа
edu.tusur.ru
publications
доступа
основе
пер
площади
подложке
приборов
режим
ресурс
свободный
солдаткин
список
технологии
технология
gaxin1
газовой
газофазная
используют
контроля
самостоятельной
светодиодов
создания
солнечных
т.д
туев
тусур
батарей
в.с
вилисов
кристаллической
лазеров
магистрантов
материалами
Език:
russian
Файл:
PDF, 575 KB
0 / 0
russian
45
Квантовая инженерия: самоорганизованные квантовые точки

Квантовая инженерия: самоорганизованные квантовые точки

Карпович И.А.
скт
gaas
поверхности
рис
слоя
электронов
ямы
излучения
inas
квантовой
структуры
физика
энергии
гетероструктуры
квантования
лазеров
квантовые
квантовых
кластеров
потенциальной
решеток
спектр
точек
точки
xas
дырок
квантовыми
лазера
механизм
полупроводников
размерного
спектра
inxga1
волны
меньше
применения
размеры
роста
свойства
слой
hν
метода
область
получения
размер
решетки
спектры
фотолюминесценции
энергетический
энергетического
Година:
2001
Език:
russian
Файл:
PDF, 193 KB
0 / 0
russian, 2001
46
Ходаков, А. М. Математическое моделирование теплоэлектрических процессов в структурах полупроводниковых изделий с дефектами : Автореферат дисс. … канд. физ.-мат. наук

Ходаков, А. М. Математическое моделирование теплоэлектрических процессов в структурах полупроводниковых изделий с дефектами : Автореферат дисс. … канд. физ.-мат. наук

Коллектив авторов
структуры
области
температуры
lz1
активной
рис
плотности
полупроводниковых
дефекта
ппи
модели
модель
тока
мощности
структурах
дефектами
кристалла
теплопроводности
поверхности
полупроводниковой
ходаков
λ1
ϕ
а.м
изделий
соединения
qar
вида
процессов
распределения
ηd
ξd
верхней
дефектом
математическая
структуре
теплофизического
транзистора
comsol
в.а
моделей
расчёта
связи
сергеев
λ2
контакта
обратной
соответственно
тепловой
тепловых
Език:
russian
Файл:
PDF, 627 KB
0 / 0
russian
47
Мониторинг конструкторско-технологических параметров полупроводниковых гетероструктур с использованием цифровой обработки изображений их поверхности : автореферат диссертации на соиск. учен. степ. канд. техн. наук : спец.: 05.12.04 - Радиотехника, в том ч

Мониторинг конструкторско-технологических параметров полупроводниковых гетероструктур с использованием цифровой обработки изображений их поверхности : автореферат диссертации на соиск. учен. степ. канд. техн. наук : спец.: 05.12.04 - Радиотехника, в том ч

Номан М. А. А.
изделий
изображений
изображения
параметров
рис
радиотехнических
полупроводниковых
микроскопии
мониторинга
обработки
помощью
области
технологических
результаты
рэм
гетероструктур
комбинационного
рассеяния
цифровой
конструкторско
областей
устройств
полупроводниковой
анализа
методики
поверхности
типа
электронной
зондовой
исследования
матрицы
номан
матриц
методика
методы
оптоэлектроники
полученных
сканирующей
слоев
соискатель
фотоники
mustafa
noman
анализ
гетероструктуры
диссертации
комплекса
масок
различных
сигналов
Език:
russian
Файл:
PDF, 1.65 MB
0 / 0
russian
48
Методические указания по дисциплине ''Физические основы оптичекой связи''

Методические указания по дисциплине ''Физические основы оптичекой связи''

Нойкин Ю.М.
излучения
сид
рисунок
излучение
волны
области
мощности
оптической
тока
диаграмма
лазера
фотонов
накачки
уровне
область
переход
рекомбинации
ширина
мощность
носителей
фотон
электронов
длина
направленности
энергии
активной
волн
источника
основе
резонатора
связи
схема
типа
фотоны
характеристики
волокно
запрещённой
инжекции
лазеры
оптического
пом
рисунке
спектральная
фотона
ватт
гетероструктуры
нарастания
находится
полупроводников
полупроводниковые
Година:
2006
Език:
russian
Файл:
PDF, 363 KB
0 / 0
russian, 2006
49
Выращивание полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs методом ГФЭ МОС: Описание лабораторной работы

Выращивание полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs методом ГФЭ МОС: Описание лабораторной работы

Байдусь Н.В., Звонков Б.Н.
слоя
роста
inas
островков
gaas
поверхности
энергии
гетероструктур
подложки
покровного
рис
массива
островка
поверхностной
квантовых
размера
квантовыми
слой
точек
энергию
точками
потоке
процессе
размер
т.е
температура
выращивания
дефектов
материала
методом
образования
образцы
размерам
росту
упругой
энергия
гетероструктурах
гетероструктуры
изменение
кластеров
легирования
механизму
мос
примесей
путем
самоорганизации
системы
слоев
температуре
формирования
Година:
2001
Език:
russian
Файл:
PDF, 503 KB
0 / 4.5
russian, 2001
50
Выращивание полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs методом ГФЭ МОС: Описание лабораторной работы

Выращивание полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs методом ГФЭ МОС: Описание лабораторной работы

Коллектив авторов
слоя
роста
inas
островков
gaas
поверхности
энергии
гетероструктур
подложки
покровного
рис
массива
островка
поверхностной
квантовых
размера
квантовыми
слой
точек
энергию
точками
потоке
процессе
размер
т.е
температура
выращивания
дефектов
материала
методом
образования
образцы
размерам
росту
упругой
энергия
гетероструктурах
гетероструктуры
изменение
кластеров
легирования
механизму
мос
примесей
путем
самоорганизации
системы
слоев
температуре
формирования
Година:
2001
Език:
russian
Файл:
PDF, 503 KB
0 / 5.0
russian, 2001